| 发明名称 | 半导体装置、无缝填隙的方法与浅沟槽隔离结构的制法 | ||
| 摘要 | 一种无缝填隙方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括具有缺口设置于其内的组件膜层，所述缺口具有大于4的深宽比；在所述缺口所露出的所述组件膜层上形成衬层；在所述缺口内的所述衬层上形成第一未掺杂氧化物层；在所述缺口内的所述第一未掺杂氧化物层上形成掺杂氧化物层；在所述缺口内的所述掺杂氧化物层上形成第二未掺杂氧化物层，并填满所述缺口；以及对所述第二未掺杂氧化物层、所述掺杂氧化物层与所述第一未掺杂氧化物层施行回火程序，在所述缺口内形成无缝氧化物层，其中无缝氧化物层具有内部掺杂区。 | ||
| 申请公布号 | CN102263053A | 申请公布日期 | 2011.11.30 |
| 申请号 | CN201110036387.2 | 申请日期 | 2011.02.10 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 聂鑫誉;张硕哲;张惠岚;陈政顺 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人 | 余朦;王艳春 |
| 主权项 | 一种无缝填隙方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括具有缺口设置于其内的组件膜层，所述缺口具有大于4的深宽比；在所述缺口所露出的所述组件膜层上形成衬层；在所述缺口内的所述衬层上形成第一未掺杂氧化物层；在所述缺口内的所述第一未掺杂氧化物层上形成掺杂氧化物层；在所述缺口内的所述掺杂氧化物层上形成第二未掺杂氧化物层，并填满所述缺口；以及对所述第二未掺杂氧化物层、所述掺杂氧化物层与所述第一未掺杂氧化物层施行回火程序，在所述缺口内形成无缝氧化物层，其中所述无缝氧化物层具有内部掺杂区。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 | ||