| 发明名称 | MOS结构的ESD保护器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体集成芯片的静电放电保护电路技术领域，特别涉及一种MOS结构的ESD保护器件，包括：栅极(2)、衬底、衬底极(4)，梳齿状的源极(3)和漏极(1)，所述栅极(2)、源极(3)和漏极(1)均设置于所述衬底上表面，所述源极(3)和漏极(1)相配合，所述栅极(2)呈锯齿状，且设置于所述源极(3)和漏极(1)之间。本发明通过设置锯齿状的栅极，使得整个器件相当于一个宽度很长的MOS管，提高了泄放能力。 | ||
| 申请公布号 | CN102263104A | 申请公布日期 | 2011.11.30 |
| 申请号 | CN201110162466.8 | 申请日期 | 2011.06.16 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 张鹏;王源;贾嵩;张钢刚;张兴 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 王莹 |
| 主权项 | 一种MOS结构的ESD保护器件，其特征在于，所述ESD保护器件包括：栅极(2)、衬底(9)、衬底极(4)、梳齿状的源极(3)和漏极(1)，所述栅极(2)、源极(3)和漏极(1)均设置于所述衬底(4)上表面，所述源极(3)和漏极(1)相配合，所述栅极(2)呈锯齿状，且设置于所述源极(3)和漏极(1)之间。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||