一种塑封功率二极管及其制造工艺

摘要

本发明公开了一种塑封功率二极管及其制造工艺，涉及半导体分立器件技术领域。其制造工艺不采用现有技术中用异丙醇、无水乙醇等有机溶剂的清洗和脱水工艺，省掉有机溶剂清洗后的水洗及再脱水工艺；采用将连接导线的芯片放入加热的烘箱中烘焙4-10小时，烘箱温度200-250℃，烘箱中通氢氮混合气体或者洁净的空气；将涂覆液体环氧树脂或液体硅橡胶的芯片放入150±10℃烘箱中胶固化10-60分钟。本发明与现有技术相比产品具有优良的高温特性、一致性和可靠性。

主权项

一种塑封功率二极管，其特征在于：其由以下工艺步骤制的：①工艺焊接：将硅芯片、焊片和无氧铜导线组装到焊接舟中，经焊接炉连接二极管的正负极；②酸腐蚀：将连接好导线的硅芯片插入酸洗盘中，在含有硝酸、氢氟酸、冰醋酸、硫酸的混合酸作用下，腐蚀掉芯片的划片刀痕、氧化层，使芯片台面表面光滑洁净，裸露在芯片台面表面的PN结得到清洁处理，腐蚀液成分（体积比）：HNO3:HF:CH3COOH:H2SO4=9:9:12:4；③钝化：经含磷酸、双氧水、纯水的混合液，钝化液的成分（体积比）：H2O2:H3PO4:纯水=1:1:3，使芯片台面表面形成一层微薄的磷硅玻璃层或SiO2层，以减少有害杂质的污染，保护裸露在芯片台面表面的PN结；④络合：经含双氧水、氨水、纯水的混合液，络合液的成分（体积比）：H2O2:NH3H2O:纯水=1:10:40，使硅芯片台面吸附的铜等有害金属杂质形成可溶入水的络合物，使硅芯片表面上的金属杂质得到解吸；⑤超声纯水清洗：在超声的纯水中，用纯水冲洗硅芯片台面，将金属杂质去除；⑥梳料：将耐酸塑料盘中的半成品放到耐高温的铝制品的工装上，以便后工序的高温处理；⑦干洗：将连接导线的芯片放入加热的烘箱中烘焙4 10小时，烘箱温度200 250℃，烘箱中通氢氮混合气体或者洁净的空气；⑧涂覆液体环氧树脂或液体硅橡胶；⑨胶固化：放入150±10℃烘箱中固化10 60分钟；⑩注塑封装：上注塑机注塑，形成二极管的非空腔塑封体外形，即获得塑封功率二极管成品。