发明名称 |
一种改性CaBi<sub>2</sub>Nb<sub>2</sub>O<sub>9</sub>铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明属于压电陶瓷领域,具体涉及一种改性CaBi2Nb2O9铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法。该改性CaBi2Nb2O9铋层状结构压电陶瓷材料得组成通式表示为:(SmxBi2-xO2)2+(SryCa1-y-zBizNb2-m-nTamWnO7)2-,式中0≤x≤0.5,0≤y≤0.2,0≤z≤0.2,0≤m≤0.2,0≤n≤0.3。本发明的改性CaBi2Nb2O9铋层状结构压电陶瓷材料的主要性能为:d33≥12pC/N,tanδ≤0.50%,Tc≥916℃,ρv(500℃)≥108Ω·cm,ρv(600℃)≥107Ω·cm,可以满足高温480-550℃范围内反复使用。利用这种材料制得的陶瓷元件,组装成各种压电传感器,可以在极端高温条件下的测量、探测与自动控制等方面获得广泛应用。 |
申请公布号 |
CN102260080A |
申请公布日期 |
2011.11.30 |
申请号 |
CN201010189011.0 |
申请日期 |
2010.05.31 |
申请人 |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
发明人 |
李玉成;姚烈;董显林 |
分类号 |
C04B35/495(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/495(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
许亦琳;余明伟 |
主权项 |
一种改性CaBi2Nb2O9铋层状结构压电陶瓷材料,其组成通式表示为:(SmxBi2 xO2)2+(SryCa1 y zBizNb2 m nTamWnO7)2 ,式中0≤x≤0.5,0≤y≤0.2,0≤z≤0.2,0≤m≤0.2,0≤n≤0.3。
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地址 |
200050 上海市长宁区定西路1295号 |