| 发明名称 | 在绝缘层上覆硅基板中的掺杂区域 | ||
| 摘要 | 在一说明实施例中，一种方法包括：提供由有源层、埋藏绝缘层、和原基板所构成的SOI基板；在该有源层下方的原基板中形成掺杂质区域；在该掺杂质区域上方的区域中，于该SOI基板上方形成数个晶体管；以及施加电压至该掺杂质区域，以改变该数个晶体管中至少其中之一的临界电压。在另一说明实施例中，该方法包括：提供由至少一集成电路产品所构成的消费性产品，该集成电路产品则由数个设于SOI基板的有源层中的晶体管所构成，该SOI基板的有源层位于设在该SOI基板的原基板中的掺杂质区域上方，该掺杂质区域设于该有源层下方；感应该集成电路产品的活动量；以及施加某一强度和极性的电压至该掺杂质区域，该外加电压的强度和极性取决于该感应到的集成电路产品的活动量。 | ||
| 申请公布号 | CN1659710B | 申请公布日期 | 2011.11.30 |
| 申请号 | CN03813552.3 | 申请日期 | 2003.05.28 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | D·J·维斯特斯;A·C·魏;M·B·福塞利尔 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 一种用于制造集成电路装置的方法，包括：提供SOI基板(30)，该SOI基板(30)系由有源层(30C)、埋藏绝缘层(30B)、和原基板(30A)所构成；在该有源层(30C)下方的原基板(30A)中形成掺杂质区域(34)；在该掺杂质区域(34)上方的区域中，于该SOI基板(30)上方形成数个晶体管(32)；形成通过该SOI基板(30)至该掺杂质区域(34)的接点(35)；以及施加电压至该掺杂质区域(34)，以改变该数个晶体管(32)中至少其中之一的临界电压。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 | ||