发明名称 | 集成电路结构 | ||
摘要 | 一种集成电路结构包括一下介电层;一上介电层于该下介电层之上;以及一密封环。密封环包括一上金属线于该上介电层中;一连续导孔条于该第一上金属线之下且与其邻接,其中该连续导孔条的宽度大于该上金属线宽度的约70%;一下金属线于该下介电层中;以及一导孔条于该下金属线之下且与其邻接。该导孔的宽度实质上小于该下金属线的宽度的一半。 | ||
申请公布号 | CN101425483B | 申请公布日期 | 2011.11.30 |
申请号 | CN200810086301.5 | 申请日期 | 2008.03.25 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 郑心圃;许仕勋;侯上勇;蔡豪益;余振华 |
分类号 | H01L23/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 陈晨 |
主权项 | 一种集成电路结构,包括:一下介电层;一上介电层,于该下介电层之上;以及一第一密封环,包括:一第一上金属线,于该上介电层中;一第一连续导孔条,于该第一上金属线之下且与其邻接,其中该第一连续导孔条的宽度与该第一上金属线相同;一第一下金属线,于该下介电层中;以及一第一导孔条,于该第一下金属线之下且与其邻接。 | ||
地址 | 中国台湾新竹市 |