| 发明名称 | 电极隔离方法及具有隔离电极对的基于纳米线的器件 | ||
| 摘要 | 形成隔离电极的方法(100)和在隔离电极之间集成(600)纳米线，每一个都采用在半导体层(210)上横向外延过生长半导体材料以形成具有相同的晶体取向的隔离电极(260，270)。方法(100，600)包括通过在半导体层上的绝缘膜(240)中的窗口(242)来选择性外延生长(140)半导体特征(250)。垂直干(252)通过窗口与半导体层接触，突出部分(254)是垂直干在绝缘膜上的横向外延过生长。该方法还包括从半导体特征和半导体层形成(160)一对隔离电极(260，270)。基于纳米线的器件(800)包括该对隔离电极和在该对隔离电极的相应表面之间桥接的纳米线(280)。 | ||
| 申请公布号 | CN101636818B | 申请公布日期 | 2011.11.30 |
| 申请号 | CN200880008899.4 | 申请日期 | 2008.01.16 |
| 申请人 | 惠普开发有限公司 | 发明人 | S·沙马;T·I·卡明斯 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张雪梅;李家麟 |
| 主权项 | 一种基于纳米线的器件(800)，具有隔离电极(260、270)，包括：具有晶体取向的基片电极(270)；突出部分电极(260)，该突出部分电极(260)是具有基片电极(270)的晶体取向的外延半导体，该突出部分电极(260)与基片电极(270)电隔离并悬臂状伸展在基片电极(270)之上；和在基片电极(270)和突出部分电极(260)的相应表面之间桥连的纳米线(280)。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||