| 摘要 |
1. Ячейка памяти на базе тонкослойной наноструктуры, содержащая подложку первого типа проводимости, отличающаяся тем, что подложка выполнена наноразмерной высотой не менее 20 нм и является общим анодом нагрузочных диодов, на подложке расположены первая область второго типа проводимости, которая является коллектором первого переключающего транзистора и катодом первого нагрузочного диода, выполненная наноразмерной с высотой не менее 15 нм, к которой подключен контакт, соответствующий прямому выходу ячейки памяти, вторая область второго типа проводимости, которая является коллектором второго переключающего транзистора и катодом второго нагрузочного диода, выполненная наноразмерной с высотой не менее 15 нм, к которой подключен контакт, соответствующий инверсному выходу ячейки памяти, первая и вторая области отделены друг от друга областью с диэлектрическими свойствами шириной не менее 10 нм, на первой области второго типа проводимости расположена первая область первого типа проводимости, являющаяся базой первого переключающего транзистора, выполненная наноразмерной с высотой не менее 3 нм и имеющая потенциальный контакт со второй областью второго типа проводимости, на второй области второго типа проводимости расположена вторая область первого типа проводимости, являющаяся базой второго переключающего транзистора, выполненная наноразмерной с высотой не менее 3 нм и имеющая потенциальный контакт с первой областью второго типа проводимости, первая и вторая области второго типа проводимости разделены областью с диэлектрическими свойствами шириной не менее 10 нм, на первой области первого типа проводимо |
