| 摘要 |
Полупроводниковая структура логического элемента И-НЕ, содержащая первый и второй логические транзисторы, первый и второй инжектирующие транзисторы и подложку, отличающаяся тем, что выполнена наноразмерной, со ступенчатым профилем, содержит четыре коллектора, четыре базы и, по меньшей мере, четыре эмиттера, на подложке первого типа проводимости, являющейся коллектором второго логического транзистора и выполненной высотой не менее 15 нм, сформирована область базы второго логического транзистора второго типа проводимости, являющаяся коллектором второго инжектирующегося транзистора, в виде нанослоя высотой не менее 3 нм, на которой сформирована область эмиттера второго логического транзистора первого типа проводимости, являющаяся также базой второго инжектирующего транзистора, в виде нанослоя высотой не менее 3 нм, к которой подключен нулевой потенциал, на которой сформирована область эмиттера второго инжектирующего транзистора второго типа проводимости, являющаяся также эмиттером первого инжектирующего транзистора, в виде нанослоя высотой не менее 10 нм, к которой подключено питание, на ней сформирована область коллектора первого логического транзистора первого типа проводимости, являющейся также базой первого инжектирующегося транзистора, в виде нанослоя высотой не менее 3 нм, на которой сформирована область базы первого логического транзистора, второго типа проводимости, являющейся также коллектором первого инжектирующегося транзистора, в виде нанослоя высотой не менее 3 нм, на которой сформированы области первого и второго эмиттеров первого логического транзистора первого типа проводимости, |
