| 摘要 |
Элемент памяти динамического оперативного запоминающего устройства (ДОЗУ), состоящий из полуизолирующей полупроводниковой подложки, на которой сформирована инвертированная структура селективно легированного гетероструктурного транзистора, содержащая буферный слой нелегированного полупроводника, первый нелегированный барьерный слой широкозонного полупроводника, легирующий дельта-слой, второй нелегированный барьерный слой широкозонного полупроводника, проводящий нелегированный слой узкозонного упругонапряженного полупроводника, третий нелегированный барьерный слой широкозонного полупроводника, области стока и истока и металлизированные контакты к ним, на которой между областями стока и истока сформирована мезоструктура, содержащая массив квантовых точек из нелегированного узкозонного полупроводника между барьерными слоями нелегированного широкозонного полупроводника, к которой сформирован металлизированный контакт с барьером Шоттки управляющего электрода (затвора), отличающийся тем, что буферный слой сформирован на сверхрешетке и имеет композитную структуру переменного состава, слой проводящего канала выполнен из ненапряженного узкозонного полупроводника, мезоструктура содержит два массива с определенным числом вертикально и латерально упорядоченных квантовых точек заданного размера. |
