| 摘要 |
1. Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата методом Чохральского, включающий загрузку в тигель материала, соответствующего стехиометрическому составу выращиваемых кристаллов, последующее расплавление материала в среде защитной атмосферы, введение вращающегося затравочного ориентированного кристалла в контакт с поверхностью расплава, вытягивание ориентированного кристалла из расплава, отличающийся тем, что в качестве затравочного ориентированного кристалла используют кристалл лантангаллиевого танталата, ориентированный в направлении <01,1>±2°. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве защитной атмосферы используют смесь аргона с воздухом. ! 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что частоту вращения затравочного кристалла задают из диапазона 20-28 об/мин. |
