| 摘要 |
1. Способ получения термоэлектрических материалов на основе теллуридов висмута и сурьмы, заключающийся в последовательных навеске сплавов, перемешивании, выращивании кристаллов и резке образцов, отличающийся тем, что после навески сплавов осуществляют вакуумирование ампул, выращивание кристаллов осуществляют с применением высокочастотного нагрева, а после выращивания кристаллов осуществляют приготовление порошка, брикетирование, отжиг и экструзию. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что выращивание кристаллов осуществляют методом вертикальной зонной перекристаллизации. ! 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что выращенные кристаллы размалывают в порошок определенной зернистости, обеспечивающей анизотропию свойств каждой частицы. ! 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что высокочастотный нагрев осуществляют на частоте 1,76 МГц. ! 5. Способ по п.1, отличающийся тем, что создают температурный градиент в области расплава. ! 6. Способ по п.1, отличающийся тем, что снимают концентрационное переохлаждение вещества. ! 7. Способ по п.1, отличающийся тем, что перемешивают вещество в расплаве. ! 8. Способ по п.1, отличающийся тем, что выравнивают высоту расплавленной зоны переплавляемого материала. ! 9. Способ по п.1, отличающийся тем, что регулируют скорость потока охлаждающего газа. ! 10. Способ по п.1, отличающийся тем, что осуществляют горячую экструзию. ! 11. Способ по п.1, отличающийся тем, что обеспечивают анизотропию свойств материала путем предварительного выращивания кристаллов с явно выраженной направленностью кристаллографических осей. ! 12. Способ по п.10, отличающийся тем, что осуществляют однонаправленную ориентацию крис |
