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Ein Bearbeitungsverfahren für einen Wafer mit einem Bauelementbereich, an dem mehrere Bauelemente an der Vorderseite des Wafers ausgebildet sind, und einem Umfangsrandbereich, der den Bauelementbereich umgibt, wird bereitgestellt. Das Bearbeitungsverfahren beinhaltet einen Verstärkungsplattenausbildungsschritt zum Aufbringen einer wärmbeständigen Verbindung auf die Vorderseite des Wafers und Verfestigen der wärmebeständigen Verbindung, um dadurch nur aus der wärmebeständigen Verbindung eine Verstärkungsplatte auszubilden, einen Rückseitenschleifschritt zum Halten der Verstärkungsplatte an einem Einspanntisch und Schleifen der Rückseite des Wafers in dem Bauelementbereich, um dadurch eine kreisförmige Aussparung in dem Bauelementbereich auszubilden und einen ringförmigen Verstärkungsabschnitt in dem Umfangsrandbereich zu belassen, einen Durchgangselektrodenausbildungsschritt zum Ausbilden einer Durchgangselektrode, die mit einer Elektrode jedes an der Vorderseite des Wafers ausgebildeten Bauelements verbunden ist, von der Rückseite des an der Verstärkungsplatte befestigten Wafers aus und einen Verstärkungsplattenentfernschritt zum Zuführen eines Lösemittels zum Auflösen der wärmebeständigen Verbindung zu der Verstärkungsplatte, wodurch die Verstärkungsplatte entfernt wird.
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