OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING SAME

摘要

Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Halbleiterschichtenstapel (2) und eine Strahlungsaustrittsfläche oder Strahlungseintrittsfläche (3) aufweist. Der Halbleiterschichtenstapel (2) weist eine aktive Schicht (2a) auf, die zur Erzeugung oder zum Empfangen elektromagnetischer Strahlung geeignet ist. Im Halbleiterschichtenstapel (2) und/oder auf der Strahlungsaustrittsfläche oder Strahlungseintrittsfläche (3) ist eine Mehrzahl von Nanostrukturen (4) angeordnet, die zumindest teilweise zumindest eine Substruktur (41, 42) aufweisen. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen optoelektronischen Halbleiterchips (10) angegeben.