发明名称 Reagenz zur Ausbildung einer Feinstruktur und ein Verfahren zur Herstellung desselben
摘要 Ein modifizierter Polyvinylalkohol (PVA), geschützt mit einer Schutzgruppe, enthaltend 1000 ppm oder weniger an hochmolekulargewichtigen Substanzkomponenten mit einem gewichtsmittleren Molgewicht von 250.000 oder mehr (bestimmt durch Gelpermeationschd bereitgestellt. Der modifizierte PVA wird durch Abtrennung von Metallionen und Säure aus dem modifizierten PVA, beispielsweise einem acetalisierten PVA, mit Ionenaustauscher und anschließendem Erhitzen auf 80°C oder höher hergestellt. Ein Reagenz zur Feinstrukturbildung enthält den modifizierten PVA, ein wasserlösliches Quervernetzungsmittel und Wasser oder ein Lösungsmittel aus Wasser und einem wasserlöslichen organischen Lösungsmittel. Das Reagenz zur Feinstrukturbildung wird auf eine Resiststruktur 3 unter Ausformung einer Beschichtung 4 aufgetragen. Anschließend werden Resiststruktur 3 und Beschichtung 4 erhitzt, wobei eine Säure aus der Resiststruktur 3 in die Beschichtung 4 diffundiert. Als Ergebnis wird die Beschichtung in der Nähe der Resiststruktur durch die eindiffundierte Säure quervernetzt und gehärtet. Die Beschichtung wird entwickelt und bildet eine Lochstruktur mit einer quervernetzten und gehärteten Schicht auf der Resiststruktur, wobei die Lochgröße geringer ist als die Auflösungsgrenze der Wellenlänge der Belichtung und die Resiststruktur keine Entwicklungsdefekte aufweist.
申请公布号 DE112004000774(T5) 申请公布日期 2011.11.24
申请号 DE20041100774T 申请日期 2004.03.18
申请人 AZ ELECTRONIC MATERIALS USA CORP. 发明人 NISHIKAWA, MASATO;TAKAHASHI, KIYOHISA
分类号 C08F16/00;C08F8/00;C08L29/00;G03F7/40;H01L21/027 主分类号 C08F16/00
代理机构 代理人
主权项
地址