| 发明名称 | 一种纳秒级可逆相变材料及其相变机理的测定方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种纳秒级可逆相变材料及其相变机理的测定方法。该材料具有在多种外在因素单独或联合作用下发生纳秒级可逆相变的性能；所述因素包括电场、压力、温度；所述纳秒级可逆相变是指材料内部原子、原子团或分子发生有序与无序排布之间的可逆变化，使材料在宏观上呈现为在晶态与非晶态两个相之间发生的相转变过程，且该相转变过程所耗费的时间在0.1~1000纳秒范围内；其中，该材料的晶态具有立方晶系的晶格结构；且该材料具有稳定的高温固相，其化学计量比为电中性，P轨道电离度为0.02<rσ’<0.31，s–p轨道的杂化程度为1.6<rπ-1<2.5。本发明还提出了采用实验手段测定其相变机理的方法，可被用于解释材料的相变机理，预测材料的相变性能，设计新型相变材料。 | ||
| 申请公布号 | CN102255044A | 申请公布日期 | 2011.11.23 |
| 申请号 | CN201110112153.1 | 申请日期 | 2011.05.03 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 宋志棠;饶峰;吴良才 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G01N23/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 1.一种纳秒级可逆相变材料，其特征在于：该材料具有在多种外在因素单独或联合作用下发生纳秒级可逆相变的性能；所述因素包括电场、压力、温度；所述纳秒级可逆相变是指材料内部原子、原子团或分子发生有序与无序排布之间的可逆变化，使材料在宏观上呈现为在晶态与非晶态两个相之间发生的相转变过程，且该相转变过程所耗费的时间在0.1～1000纳秒范围内；其中，该材料的晶态具有立方晶系的晶格结构；且该材料在室温至熔化温度之间具有稳定的固相，其化学计量比为电中性，其p轨道电离度为0.02＜r<sub>σ</sub>′＜0.31，其s-p轨道的杂化程度为<img file="FDA0000058852720000011.GIF" wi="304" he="68" /> | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||