发明名称 |
一种垂直结构氮化镓发光二极管芯片及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种垂直结构氮化镓发光二极管芯片及其制备方法,该方法首先外延生长缓冲层及垂直结构GaNLED外延片,然后剥离衬底,再制备导电增透层,最后制作焊线电极。该垂直结构氮化镓发光二极管芯片顺序包括:金属高反射导热层、P型GaN层、MQW发光层、N型GaN层、导电增透层和焊线电极;导电增透层包括顺序附着在N型GaN层一侧表面的ZnO成核层、ZnO主体层和圆冠纳米柱状ZnO层。采用本发明制备方法制备出的垂直结构氮化镓发光二极管芯片,除了能满足优良的导电和透明特性外,还能精准控制生长质量和控制形貌,获得更高的光学萃取效率以及外量子效率;此外,采用双性金属氧化物制作缓冲层,可大大降低后续剥离衬底的成本,能够获得更高良品率,以及更低的生产成本。 |
申请公布号 |
CN102255026A |
申请公布日期 |
2011.11.23 |
申请号 |
CN201010241753.3 |
申请日期 |
2010.08.02 |
申请人 |
中山大学佛山研究院;佛山市中昊光电科技有限公司 |
发明人 |
王钢;王孟源;童存声;雷秀铮;江灏 |
分类号 |
H01L33/40(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/40(2010.01)I |
代理机构 |
深圳市惠邦知识产权代理事务所 44271 |
代理人 |
赵彦雄 |
主权项 |
一种垂直结构氮化镓发光二极管芯片,顺序包括:金属高反射导热层、P型GaN层、MQW发光层、N型GaN层、导电增透层和焊线电极;所述导电增透层包括顺序附着在N型GaN层一侧表面的ZnO成核层和ZnO主体层,其特征在于,所述导电增透层还包括圆冠纳米柱状ZnO层,所述圆冠纳米柱状ZnO层附着在所述ZnO主体层外侧表面,位于ZnO主体层和焊线电极之间。 |
地址 |
528222 广东省佛山市南海软件科技园信息大道北研发楼三楼 |