发明名称 |
场发射装置 |
摘要 |
本发明涉及一种场发射装置,其包括:一绝缘基底;一电子引出电极,该电子引出电极设置于该绝缘基底的一表面;一二次电子发射层,该二次电子发射层设置于该电子引出电极的表面;一阴极电极,该阴极电极通过一第一绝缘隔离层与该电子引出电极间隔设置,所述电子引出电极设置在阴极电极与绝缘基底之间,该阴极电极具有一表面至少部分与该电子引出电极面对设置,该阴极电极具有一第一开口,该第一开口定义一电子出射部;一电子发射层,该电子发射层设置在阴极电极面对该电子引出电极设置的部分表面;一栅极电极,该栅极电极与阴极电极绝缘设置,且所述阴极电极设置在电子引出极与栅极电极之间。 |
申请公布号 |
CN102254762A |
申请公布日期 |
2011.11.23 |
申请号 |
CN201010178218.8 |
申请日期 |
2010.05.20 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
柳鹏;周段亮;陈丕瑾;胡昭复;郭彩林;杜秉初;范守善 |
分类号 |
H01J3/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01J3/02(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
一种场发射装置,其包括:一绝缘基底;一电子引出电极,该电子引出电极设置于该绝缘基底的一表面;一二次电子发射层,该二次电子发射层设置于该电子引出电极的表面;一阴极电极,该阴极电极通过一第一绝缘隔离层与该电子引出电极间隔设置,所述电子引出电极设置在阴极电极与绝缘基底之间,该阴极电极具有一表面至少部分与该电子引出电极面对设置,该阴极电极具有一第一开口,该第一开口定义一电子出射部;一电子发射层,该电子发射层设置在阴极电极面对该电子引出电极设置的 至少部分表面;一栅极电极,该栅极电极与阴极电极绝缘设置,且所述阴极电极设置在电子引出极与栅极电极之间。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |