发明名称 场发射装置
摘要 本发明涉及一种场发射装置,其包括:一绝缘基底;一电子引出电极,该电子引出电极设置于该绝缘基底的一表面;一二次电子发射层,该二次电子发射层设置于该电子引出电极的表面;一阴极电极,该阴极电极通过一第一绝缘隔离层与该电子引出电极间隔设置,所述电子引出电极设置在阴极电极与绝缘基底之间,该阴极电极具有一表面至少部分与该电子引出电极面对设置,该阴极电极具有一第一开口,该第一开口定义一电子出射部;一电子发射层,该电子发射层设置在阴极电极面对该电子引出电极设置的部分表面;一栅极电极,该栅极电极与阴极电极绝缘设置,且所述阴极电极设置在电子引出极与栅极电极之间。
申请公布号 CN102254762A 申请公布日期 2011.11.23
申请号 CN201010178218.8 申请日期 2010.05.20
申请人 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 发明人 柳鹏;周段亮;陈丕瑾;胡昭复;郭彩林;杜秉初;范守善
分类号 H01J3/02(2006.01)I 主分类号 H01J3/02(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种场发射装置,其包括:一绝缘基底;一电子引出电极,该电子引出电极设置于该绝缘基底的一表面;一二次电子发射层,该二次电子发射层设置于该电子引出电极的表面;一阴极电极,该阴极电极通过一第一绝缘隔离层与该电子引出电极间隔设置,所述电子引出电极设置在阴极电极与绝缘基底之间,该阴极电极具有一表面至少部分与该电子引出电极面对设置,该阴极电极具有一第一开口,该第一开口定义一电子出射部;一电子发射层,该电子发射层设置在阴极电极面对该电子引出电极设置的 至少部分表面;一栅极电极,该栅极电极与阴极电极绝缘设置,且所述阴极电极设置在电子引出极与栅极电极之间。
地址 100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室