| 发明名称 | 一种氧化硅的选择性刻蚀溶液及其制备方法和应用 | ||
| 摘要 | 一种氧化硅的选择性刻蚀溶液及其制备方法和应用。所述的选择性刻蚀溶液由质量浓度为1％～10％的氢氟酸溶液和相对介电常数大于氢氟酸相对介电常数83.6的溶剂组成。其中，氢氟酸溶液与溶剂的体积比为1∶1～10∶1。在激光刻蚀硅衬底之后，使用本发明选择性刻蚀溶液处理同时具有氧化硅和氮化硅的工作面，时间为5秒～120秒，处理之后能够在有效去除激光刻蚀区域氧化硅的同时，保留非激光刻蚀区域的氮化硅。 | ||
| 申请公布号 | CN102254814A | 申请公布日期 | 2011.11.23 |
| 申请号 | CN201110234519.2 | 申请日期 | 2011.08.16 |
| 申请人 | 中国科学院电工研究所;中轻太阳能电池有限责任公司 | 发明人 | 李涛;周春兰;宋洋;郜志华;罗运强;段野;李友忠;王文静 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人 | 关玲 |
| 主权项 | 一种氧化硅的选择性刻蚀溶液及其制备方法和应用，其特征是，所述的选择性刻蚀溶液由质量浓度为1％～10％的氢氟酸溶液和相对介电常数大于氢氟酸相对介电常数83.6的溶剂组成，所述的氢氟酸溶液与所述的溶剂的体积比为1∶1～10∶1。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村北二条6号 | ||