一种p-n异质结光探测器

摘要

本发明提供一种p-n异质结光探测器，属于薄膜光探测器技术领域，所要解决的技术问题是提供一种在掺铌钛酸锶单晶基底上外延生长一层错配层钴氧化合物薄膜的p-n异质结光探测器，其技术方案是：它由掺铌钛酸锶单晶基底和错配层钴氧化合物薄膜组成，错配层钴氧化合物薄膜采用脉冲激光沉积技术或金属有机沉积技术外延生长在掺铌钛酸锶单晶基底上，在掺铌钛酸锶单晶基底和错配层钴氧化合物薄膜上各有一个采用热蒸发、磁控溅射或脉冲激光沉积技术沉积在基底和薄膜表面的电极，两个电极分别通过电极引线与电压信号输出端相连接。本发明的优点在于：制备简单、成本低廉、不需要制冷、不需要任何辅助的电源和电子设备、响应波段宽。

主权项

一种p‑n异质结光探测器，其特征在于：它由掺铌钛酸锶单晶基底(1)和错配层钴氧化合物薄膜(2)组成，错配层钴氧化合物薄膜(2)采用脉冲激光沉积技术或金属有机沉积技术外延生长在掺铌钛酸锶单晶基底(1)上，在掺铌钛酸锶单晶基底(1)和错配层钴氧化合物薄膜(2)上各有一个采用热蒸发、磁控溅射或脉冲激光沉积技术沉积在基底和薄膜表面的电极，两个电极分别通过电极引线与电压信号输出端相连接；所述的错配层钴氧化合物薄膜(2)为钙钴氧或铋锶钴氧薄膜，薄膜的厚度为20nm‑200nm。