| 发明名称 | 半导体工艺方法以及半导体装置系统 | ||
| 摘要 | 一种半导体工艺方法及半导体装置系统。该半导体工艺至少包含一第一高温炉管工艺以及一第二高温炉管工艺。此方法为对装载有至少一芯片的第一晶舟进行第一高温炉管工艺。然后，对装载有此芯片的第二晶舟进行第二高温炉管工艺。而且，在进行第二高温炉管工艺之前，进行一移动步骤，使芯片在第一晶舟上与芯片在第二晶舟上的相对位置不同。 | ||
| 申请公布号 | CN101414570B | 申请公布日期 | 2011.11.23 |
| 申请号 | CN200710167103.7 | 申请日期 | 2007.10.18 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 于广友 |
| 分类号 | H01L21/67(2006.01)I;H01L21/677(2006.01)I;H01L21/68(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/67(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种半导体工艺方法，该半导体工艺至少包含一第一高温炉管工艺以及一第二高温炉管工艺，该方法包括：对装载有至少一芯片的第一晶舟进行该第一高温炉管工艺；以及对装载有该芯片的第二晶舟进行该第二高温炉管工艺，且在进行该第二高温炉管工艺之前，进行第一移动步骤，使该芯片在该第一晶舟上与该芯片在该第二晶舟上的相对位置不同，其中该第一高温炉管工艺与该第二高温炉管工艺的工艺温度为大于或等于900℃。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||