一种浅槽负斜角终端结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种适用于功率MOS器件的浅槽负斜角终端结构及其制备方法，芯片为有源区，外围为终端区，有源区和终端区共同的n+衬底底部为器件的漏极，n+衬底之上为n-漂移区；在有源区的n-漂移区中设置有多个元胞，每个元胞最下面是p+阱区，p+阱区上面为p体区，p体区中设有n+源区，n+源区上方为源电极，源电极将n+源区与p体区短路连接；相邻的两个源电极之间设有一个多晶硅栅极，多晶硅栅极的正下面设置有栅氧化层；在终端区的p+阱区中，通过两步刻蚀方法，设置有一个两侧垂直、底部深入到n-漂移区中的沟槽，整个沟槽中填充有氮氧化硅。本发明的结构，兼顾到击穿电压、终端面积、以及稳定性和机械强度。

主权项

一种适用于功率MOS器件的浅槽负斜角终端结构，其特征在于：芯片中央为有源区，外围为终端区，有源区和终端区共同的n+衬底底部为器件的漏极(D)，n+衬底之上为n 漂移区；在有源区的n 漂移区中设置有多个元胞，每个元胞最下面是p+阱区，p+阱区上面为p体区，p体区中设有n+源区，n+源区上方为源电极(S)，源电极(S)将n+源区与p体区短路连接；相邻的两个源电极(S)之间设有一个多晶硅栅极(G)，多晶硅栅极(G)的正下面设置有栅氧化层；在终端区的p+阱区中，通过两步刻蚀方法，设置有一个两侧垂直、底部深入到n 漂移区中的沟槽，整个沟槽中填充有氮氧化硅。