| 发明名称 | 一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用，其组分包括锗、锑、硒三种元素，其中锗、锑、硒三种元素的原子百分比依次为0.01～20∶70～99.9∶0.01～15；该材料可应用于电编程的电阻转换存储器等领域的制备；由于该锗锑硒合金材料的电阻率具有随温度变化的特性，从而可以应用到电阻转换存储器中，采用电信号或者激光改变器件的电阻，实现数据的存储功能。 | ||
| 申请公布号 | CN101546810B | 申请公布日期 | 2011.11.23 |
| 申请号 | CN200910050392.1 | 申请日期 | 2009.04.30 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 顾怡峰;宋志棠;张挺;刘波;封松林 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;C22C12/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人 | 黄志达;宋缨 |
| 主权项 | 一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料，其组分由锗、锑、硒三种元素组成，其中锗、锑、硒三种元素的原子百分比依次为0.01～20∶70～99.9∶0.01～15。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||