| 发明名称 | 半导体器件以及制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种半导体器件，用于进行入射光的光电转换，其包括：p型衬底(1)，具有预定深度并形成于p型衬底(1)的预定区域中的n型阱(2)，和在p型衬底(1)和n型阱(2)之间的结界面处产生的耗尽层。提供沟槽(22)，其深度大于在n型阱(2)底面侧上产生的耗尽层(K1)的深度，且其宽度大于在n型阱(2)侧面上产生的耗尽层(K2，K3)的宽度，以去除n型阱(2)侧面上的结界面(J2，J3)，并将绝缘层(21)埋置到沟槽(22)中。 | ||
| 申请公布号 | CN101026196B | 申请公布日期 | 2011.11.23 |
| 申请号 | CN200710092384.4 | 申请日期 | 2007.02.17 |
| 申请人 | 精工电子有限公司 | 发明人 | 岩崎淳;鹰巢博昭 |
| 分类号 | H01L31/10(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张雪梅;刘宗杰 |
| 主权项 | 一种半导体器件，用于进行入射光的光电转换，其包括：由n型半导体和p型半导体中的一种形成的衬底；具有预定深度的阱区，其形成于衬底的预定区域中，且由n型半导体和p型半导体中的另一种形成；在衬底和阱区之间的结界面附近产生的耗尽层；沟槽，其深度大于在阱区底侧上产生的耗尽层部分的深度，且其宽度大于在阱区侧面上产生的耗尽层部分的宽度，并且被提供用来去除阱区侧面上的结界面；和埋置在所述沟槽中的绝缘体。 | ||
| 地址 | 日本千叶县千叶市 | ||