| 发明名称 | 沟槽型功率MOS晶体管的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种沟槽型功率MOS晶体管的制备方法，包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底的待形成体区的区域，植入第一能量的离子；在所述衬底的待形成体区的区域，植入第二能量的离子，所述第一能量的离子的能量大于所述第二能量的离子的能量，且第二能量离子注入的深度在源极结附近。采用本发明的方法形成的沟槽型功率MOS晶体管的体区内的源区结附近的空穴浓度增加，进而有效抑制了源极与漏极之间的漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN102254804A | 申请公布日期 | 2011.11.23 |
| 申请号 | CN201110224890.0 | 申请日期 | 2011.08.08 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 胡学清;吴小利;龙涛 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种沟槽型功率MOS晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底的待形成体区的区域，植入第一能量的离子；在所述衬底的待形成体区的区域，植入第二能量的离子，所述第一能量的离子的能量大于所述第二能量的离子的能量，所述第二能量的离子注入的深度在所述MOS晶体管的源极结附近。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||