发明名称 等离子体离子制程均匀性监控
摘要 一种离子均匀性监控装置,被定位在等离子体制程室内且包括多个感测器,这些感测器位于等离子体制程室内的工件上方一段距离之处。这些感测器经配置以侦测从暴露于等离子体制程的工件的表面发射出来的二次电子的数量。每个感测器输出与侦测到的二次电子成正比的电流信号。一电流比较电路输出由多个电流信号的每个电流信号而得出的处理后的信号。等离子体处理过程中侦测到从工件上发射出来的二次电子显示出工件表面的均匀性特征,且二次电子的侦测可在线上等离子体处理过程中原位执行。
申请公布号 CN102257607A 申请公布日期 2011.11.23
申请号 CN200980151713.5 申请日期 2009.12.21
申请人 瓦里安半导体设备公司 发明人 约瑟·P·迪宰桔雷斯契;乔治·M·葛梅尔;伯纳德·G·琳赛;维克拉姆·辛
分类号 H01L21/66(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I 主分类号 H01L21/66(2006.01)I
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人 臧建明
主权项 一种制程均匀性监控装置,配置在等离子体制程室内,所述监控装置包括:多个感测器,垂直于所述等离子体制程室内的工件而定位,多个所述感测器的每个感测器经配置以侦测从暴露于等离子体处理的所述工件的表面发射出的电子的数量,且输出与侦测到的电子的所述数量成正比的电流信号;以及电流信号处理电路,连接至多个所述感测器的每个感测器,且经配置以从多个所述感测器的每个感测器接收多个所述电流信号的每个电流信号,所述电流信号处理电路经配置以从多个所述电流信号的每个电流信号来输出一信号,其中多个所述电流信号代表所述等离子体制程的均匀性。
地址 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号