发明名称 |
像素结构及电性桥接结构 |
摘要 |
本发明公开一种像素结构及电性桥接结构,包括一薄膜晶体管元件、一绝缘层位于薄膜晶体管元件之上,以及一像素电极位于绝缘层上。薄膜晶体管元件包括一浮置导电垫位于一半导体层的一侧,并与一源/漏极电极电性连接。绝缘层具有一第一接触洞,部分暴露出浮置导电垫。像素电极经第一接触洞与浮置导电垫电性连接。 |
申请公布号 |
CN102254928A |
申请公布日期 |
2011.11.23 |
申请号 |
CN201110183177.6 |
申请日期 |
2011.06.27 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
刘景洋;林*翔;朱书纬;萧祥志;黄志杰;刘思呈;梁育馨 |
分类号 |
H01L27/28(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/28(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
梁挥;王颖 |
主权项 |
一种像素结构,其特征在于,设置于一基板上,该像素结构包括:一薄膜晶体管元件,位于该基板上,该薄膜晶体管元件包括一半导体层、一栅极电极、一栅极介电层、源极与漏极电极以及一浮置导电垫:该半导体层位于该基板上;该栅极电极位于该基板上;该栅极介电层位于该半导体层与该栅极电极之间;所述两个源/漏极电极位于该基板上并分别对应于该半导体层的两相对侧;以及该浮置导电垫位于该基板上并位于该半导体层的一侧,其中该浮置导电垫与该两源/漏极电极的其中一者电性连接;一绝缘层,位于该薄膜晶体管元件之上,其中该绝缘层具有一第一接触洞,部分暴露出该浮置导电垫;以及一像素电极,位于该绝缘层上并经该第一接触洞与该浮置导电垫电性连接。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路1号 |