发明名称 | 具有减小的扫描场效应的离子注入 | ||
摘要 | 本发明提供了离子注入系统和扫描系统,其中提供了聚焦调整部件用于调整离子束的聚焦性质,来减小扫描器在离子束上的零场效应。聚焦性质可以被调整,用于改善跨过工件扫描的束轮廓的一致性,或改善跨过工件的离子注入的一致性。本发明公开了将经扫描的离子束提供给工件的方法,包括扫描离子束以产生经扫描的离子束,关于扫描器在离子束上的零场效应调整离子束的聚焦性质,以及朝向工件引导离子束。 | ||
申请公布号 | CN102257592A | 申请公布日期 | 2011.11.23 |
申请号 | CN200980150790.9 | 申请日期 | 2009.12.10 |
申请人 | 艾克塞利斯科技公司 | 发明人 | 爱德华·艾伊斯勒 |
分类号 | H01J37/317(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/317(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 刘晓峰 |
主权项 | 一种用于在工件中注入离子的离子注入系统,包括:离子束源,配置成产生离子束;质量分析装置,用于对产生的所述离子束进行质量分析;扫描器,配置成跨过所述工件扫描所述离子束;聚焦调整部件,包括配置成关于所述扫描器在所述离子束上的零场效应调整所述离子束的至少一个聚焦性质的调整场。 | ||
地址 | 美国马萨诸塞州 |