| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明包括一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一第一基材，具有一第一内连线结构；以及一第二基材，具有一第二内连线结构，该第一内连线结构连接该第二内连线结构，该第一内连线结构的第一宽度与该第二内连线结构的第二宽度不同。本发明提供一种用于使一基材与另一基材接合的凸块结构。一导电柱体形成于第一基材上，以使此导电柱体具有与一第二基材的接触表面不同的宽度。在一实施例中，第一基材的导电柱体为梯形或具有锥形侧壁，因而提供底部部分较顶部部分宽的导电柱体。所述基材均可为集成电路芯片、转接板、印刷电路板、高密度内连线或其类似物。本发明可减低关于交界处应力所产生的脱层问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102254871A | 申请公布日期 | 2011.11.23 |
| 申请号 | CN201010546183.9 | 申请日期 | 2010.11.10 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 沈文维;施应庆;陈承先;陈明发 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 姜燕;陈晨 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：一第一基材，具有一第一内连线结构；以及一第二基材，具有一第二内连线结构，该第一内连线结构连接该第二内连线结构，该第一内连线结构的第一宽度与该第二内连线结构的第二宽度不同。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||