发明名称 一种通过控制水解程度影响碳纳米管生长形貌的方法
摘要 本发明涉及一种通过控制水解程度影响碳纳米管生长形貌的方法,包括如下步骤:步骤1:制备含铁离子的前驱液薄膜;步骤2:将附着有前驱液薄膜的基片在恒温烘箱中烘烤一定时间直至烘干;步骤3:将烘干后的基片放入管式炉的恒温区,进行退火处理;步骤4:制备颗粒尺寸和密度可控的铁催化剂薄膜;步骤5:制备不同长度和形貌的碳纳米管阵列:在管式炉内,升温至一定温度下,通入乙炔和氩气,乙炔气体在含铁催化剂颗粒的薄膜表面分解并析出直立的碳纳米管阵列。本发明的有益效果:实现了我们通过控制水解程度影响碳纳米管生长形貌的目的,取得了意想不到的效果,有效的优化了碳纳米管生长的工艺,降低了工业生产的成本。
申请公布号 CN102249216A 申请公布日期 2011.11.23
申请号 CN201110155065.X 申请日期 2011.06.10
申请人 电子科技大学 发明人 林媛;刘升华;赵小伟;曾慧中;黄文;潘泰松
分类号 C01B31/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 C01B31/02(2006.01)I
代理机构 电子科技大学专利中心 51203 代理人 周永宏
主权项 一种通过控制水解程度影响碳纳米管生长形貌的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:制备含铁离子的前驱液薄膜:将含铁离子的前驱液放置在室温条件下,水解一定时间后,吸取一定量的前驱液滴到生长碳纳米管所需的基片上进行甩胶,得到在基片表面均匀分布的前驱液薄膜;步骤2:将附着有前驱液薄膜的基片在恒温烘箱中烘烤一定时间直至烘干;步骤3:将烘干后的基片放入管式炉的恒温区,进行退火处理;步骤4:制备颗粒尺寸和密度可控的铁催化剂薄膜:将退火处理后的基片在管式炉内进行升温还原处理,得到附着在基片上的颗粒尺寸和密度可控的铁催化剂薄膜。步骤5:制备不同长度和形貌的碳纳米管阵列:在管式炉内,升温至一定温度下,通入乙炔和氩气,乙炔气体在含铁催化剂颗粒的薄膜表面分解并析出直立的碳纳米管阵列。
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号