一种石墨烯/硅柱阵列肖特基结光伏电池及其制造方法

摘要

基于石墨烯/硅柱阵列肖特基光伏电池及其制造方法，在单晶半导体衬底上热氧化生成氧化硅(SiO2)作为隔离层，腐蚀SiO2隔离层形成窗口并在窗口内采用光刻和干法刻蚀的方法制备出硅柱阵列，在衬底背面蒸发金属作为背电极，在隔离层上制备金属前电极，最后将石墨烯转移或旋涂到硅柱阵列上并与前电极相连；该太阳能电池结构简单，易于制备，不仅可以有效减少入射光的反射，而且增大了肖特基结接触面积，从而达到提高太阳能电池的转换效率的目的。

主权项

一种石墨烯/硅柱阵列肖特基结光伏电池，其特征在于，包括单晶硅衬底(1)，单晶硅衬底(1)上面热氧化生长有SiO2隔离层(2)，在单晶硅衬底(1)背面淀积有金属背电极(3)，在SiO2隔离层(2)上开窗口形成有效结区，在结区中制备有硅柱阵列(4)，在SiO2隔离层(2)的窗口周围淀积有金属前电极(5)，并将石墨烯薄膜(6)转移或旋涂在硅柱阵列(4)上。