发明名称 |
等离子剂量测量的方法及其装置 |
摘要 |
本发明提供了一种非法拉第离子剂量测量装置,此非法拉第离子剂量测量装置位于等离子处理室中以及包括位于室中的工件上面的感测器。感测器经配置为侦测从曝露于等离子植入制程的工件的表面发射出的次级电子的数量。此感测器输出与已侦测的次级电子的数量成比例的电流信号。电流电路将施加到室中的工件的偏压电流减去从感测器所生成的已侦测的次级电流。这些电流之间的差异提供了在离子植入制程期间,对在原位置所计算出的离子剂量电流进行测量。 |
申请公布号 |
CN102257606A |
申请公布日期 |
2011.11.23 |
申请号 |
CN200980151424.5 |
申请日期 |
2009.12.21 |
申请人 |
瓦里安半导体设备公司 |
发明人 |
约瑟·P·迪宰桔雷斯契;提摩太·J·米勒;杰·T·舒尔;克里斯多夫·J·里维特 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
臧建明 |
主权项 |
一种等离子处理室中的离子剂量测量装置,所述离子剂量测量装置包括:电源供应器,其连接到位于所述等离子处理室中的工件,所述电源供应器提供偏压电流给所述工件;感测器,其位于所述等离子处理室中的所述工件上,所述感测器经配置为侦测曝露于等离子掺杂的所述工件的表面所发射的次级电子的样本以及输出与已侦测的次级电子的所述样本成比例的电流信号;以及电流电路,所述电流电路经配置为接收根据所述次级电子的样本而生成的所述电流以及被施加到所述工件的所述偏压电流信号,所述电流电路经配置为将所述偏压电流信号减去从所述感测器生成的所述电流信号,以决定与所述工件相关的离子剂量电流。 |
地址 |
美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号 |