一种太阳能电池AZO减反射膜制备方法

摘要

一种太阳电池AZO减反射膜制备方法，其工艺步骤如下：①将基片装载在射频磁控溅射设备的小车上；②抽真空，使射频磁控溅射设备腔体真空度达到1x10-4Pa；③开启加热电源，给基片加热，加热温度范围为150～200℃；④当基片达到所需温度后，通入Ar和H2混合气体，Ar∶H2质量流量比为60∶1～100∶1；⑤开启射频电源，并调整电源功率至0.5W/cm2～1.5W/cm2；⑥将射频磁控溅射设备腔体压力调到0.3～0.35Pa；⑦使小车开始行走；控制制备时间为35～40分钟；然后关闭射频电源、气体和加热电源，并排除残余气体。本发明所制备的AZO减反膜具有金字塔形貌，平均电阻率为1.7x10-4Ω·cm；在可见光范围内AZO减反膜平均透过率大于90％；AZO减反膜绒度为9.1％～12.2％；AZO减反膜表面粗糙度小于25nm。

主权项

一种太阳电池AZO减反射膜制备方法，其特征在于，所述的射频溅射制备方法工艺步骤如下：1)将制备用的基片装载在射频磁控溅射设备的小车上；2)开启真空抽气阀抽真空，使射频磁控溅射设备腔体达到真空度1x10‑4Pa；3)开启加热电源，给基片加热，加热温度范围为150～200℃；4)当基片达到所需温度后，通入Ar和H2混合气体，Ar∶H2质量流量比为60∶1～100∶1；5)开启射频电源，并调整电源功率至0.5W/cm2～1.5W/cm2；6)将射频磁控溅射设备腔体压力调到0.3～0.35Pa；7)开启小车电源，使小车开始行走；此时对制备时间开始计时，制备时间为35～40分钟；8)达到所述的溅射时间后，关闭射频电源，关闭气体，关闭加热电源，最后给所述的磁控溅射设备腔体抽真空，排除残余气体；至此本发明太阳能电池AZO减反射膜制备完毕。