发明名称 |
一种具有布拉格结构包层单晶光纤及制备方法 |
摘要 |
一种具有布拉格结构包层单晶光纤及制备方法,属于特种光纤领域,特别涉及单晶光纤的包层结构设计。提出一种具有阶跃折射率包层的单晶光纤,并介绍了其制备方法。该单晶光纤包括单晶纤芯(1)和围绕在单晶纤芯周围的,两种不同折射率的材料层(2、3)沿径向交替分布构成的布拉格结构包层,两种材料层各10~20层。该光纤制备方法的特点是使用MCVD法交替沉积两种不同折射率材料,形成高、低折射率层沿径向交替分布的结构。通过加热拉伸,使交替分布结构缩小,最终裹住单晶纤芯,形成布拉格结构包层。该光纤具有阶跃折射率包层,对光的束缚能力强,损耗小。使用该方法可以为不同材料单晶光纤制备阶跃折射率包层,扩展了各种不同材料单晶光纤的应用。 |
申请公布号 |
CN102253445A |
申请公布日期 |
2011.11.23 |
申请号 |
CN201110196811.X |
申请日期 |
2011.07.14 |
申请人 |
北京交通大学 |
发明人 |
娄淑琴;鹿文亮;王立文;陈卫国;邹辉 |
分类号 |
G02B6/02(2006.01)I;G02B6/036(2006.01)I |
主分类号 |
G02B6/02(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
一种具有布拉格结构包层单晶光纤,其特征在于:该单晶光纤包括单晶纤芯(1)和围绕在单晶纤芯周围的,两种不同折射率的材料层沿径向交替分布构成的布拉格结构包层,两种材料层各10~20层。 |
地址 |
100044 北京市海淀区西直门外上园村3号 |