首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 Method of preparing an epitaxial wafer having a GaN epitaxial layer deposited on a GaAs substrate
摘要
申请公布号 EP0865088(B1) 申请公布日期 2011.11.23
申请号 EP19980301948 申请日期 1998.03.16
申请人 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LIMITED 发明人 MOTOKI, KENSAKU;MATSUSHIMA, MASATO;AKITA, KATSUSHI;SHIMAZU, MITSURU;TAKEMOTO, KIKUROU;SEKI, HISASHI;KOUKITU, AKINORI
分类号 C30B29/38;H01L21/205;C30B29/42;H01L21/20;H01L33/00;H01L33/12;H01L33/16;H01L33/32 主分类号 C30B29/38
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com