| 发明名称 | 制造半导体氧化铟-层的方法,按照该方法制造的氧化铟-层及其应用 | ||
| 摘要 | 本发明涉及制造半导体氧化铟-层的方法，在该方法给衬底涂覆一种含有a)至少一种铟醇盐和b)至少一种溶剂的液体的无水化合物，任选地干燥处理，并且在大于250℃的温度下对衬底进行热处理；和按照该方法制造的氧化铟-层及其应用。 | ||
| 申请公布号 | CN102257177A | 申请公布日期 | 2011.11.23 |
| 申请号 | CN201080003638.0 | 申请日期 | 2010.02.05 |
| 申请人 | 赢创德固赛有限责任公司 | 发明人 | A·霍佩;A·默库洛夫;J·施泰格;D·V·法姆;Y·达马舍克;H·蒂姆 |
| 分类号 | C23C18/12(2006.01)I | 主分类号 | C23C18/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 刘维升;林森 |
| 主权项 | 制造半导体氧化铟‑层的方法，在该方法中给衬底涂覆含有a)至少一种铟醇盐和b)至少一种溶剂的液体的无水组合物，任选地干燥处理，并且在大于250℃的温度下对衬底进行热处理。 | ||
| 地址 | 德国埃森 | ||