发明名称 |
薄膜晶体管矩阵基板及显示面板的制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种薄膜晶体管矩阵基板及显示面板的制造方法。此制造方法包括如下步骤:依序形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层、电极层及第一光阻层于所述透明基材上;图案化所述第一光阻层;蚀刻所述欧姆接触层及所述电极层;涂布第二光阻层于所述图案化第一光阻层上,以及沟道内;移除所述图案化第一光阻层上的所述第二光阻层,并保留所述沟道内的所述第二光阻层;蚀刻所述半导体层;移除所述图案化第一光阻层及所述第二光阻层;形成保护层于所述沟道、所述源电极及所述漏电极上;以及形成像素电极层于所述保护层上,本发明可减少制程的光掩膜数,且仅需对金属进行一次湿蚀刻。 |
申请公布号 |
CN102254861A |
申请公布日期 |
2011.11.23 |
申请号 |
CN201110229711.2 |
申请日期 |
2011.08.11 |
申请人 |
深圳市华星光电技术有限公司 |
发明人 |
薛景峰;许哲豪;姚晓慧 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 |
代理人 |
欧阳启明 |
主权项 |
一种薄膜晶体管矩阵基板的制造方法,其特征在于:所述制造方法包括如下步骤:形成栅极于透明基材上;依序形成栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层、电极层及第一光阻层于所述透明基材及所述栅极上;图案化所述第一光阻层,以形成一沟道,所述沟道是形成于所述栅极的上方;蚀刻所述欧姆接触层及所述电极层,以移除部分的所述欧姆接触层及部分的所述电极层,并形成源电极及漏电极于所述沟道的相对两侧;涂布第二光阻层于所述图案化第一光阻层上,以及所述沟道内;移除所述图案化第一光阻层上的所述第二光阻层,并保留所述沟道内的所述第二光阻层;蚀刻所述半导体层,以移除部分所述半导体层;移除所述图案化第一光阻层及所述第二光阻层;形成保护层于所述沟道、所述源电极及所述漏电极上;以及形成像素电极层于所述保护层上,其中所述像素电极层是电性连接于所述漏电极。 |
地址 |
518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 |