用于测定AlGaN/GaN超晶格电阻率的GaN基激光器及测试方法

摘要

用于测定GaN基半导体激光器中AlGaN/GaN超晶格电阻率的激光器结构和测试方法属于半导体激光器领域。本发明提出的用于测定AlGaN/GaN超晶格光限制层电阻率的激光器为两种具有不同厚度的n型或p型AlGaN/GaN超晶格光限制层的激光器，通过测量激光器的I-V特性曲线，确定每种激光器的串联电阻，而具有不同厚度的AlGaN/GaN超晶格光限制层的激光器的串联电阻之差即为改变的那部分厚度的AlGaN/GaN超晶格的电阻，由此可求出AlGaN/GaN超晶格光限制层的电阻率。利用该结构的激光器可分别测定GaN基半导体激光器中n型和p型AlGaN/GaN超晶格光限制层的电阻率，为GaN基半导体激光器的结构设计与生长制作提供参考数据。

主权项

用于测定AlGaN/GaN超晶格电阻率的GaN基激光器，其特征在于：用于测定p型AlGaN/GaN超晶格电阻率的GaN基激光器为两种具有不同厚度的AlGaN/GaN超晶格光限制层的GaN基半导体激光器；其中的第一种GaN基半导体激光器自下向上依次包括：衬底(10)；欧姆接触层(11)；下限制层(12)，该下限制层(12)为多个周期的AlGaN/GaN超晶格，其总厚度为1.10微米；下波导层(13)；有源层(14)；电子阻挡层(15)；上波导层(16)；上限制层(17)，该上限制层为多个周期的AlGaN/GaN超晶格，其总厚度为0.20～0.30微米；覆盖层(18)；绝缘层(21)，该绝缘层(21)制作在刻蚀后露出的下限制层(12)、下波导层(13)、有源层(14)、电子阻挡层(15)、上波导层(16)、上限制层(17)和覆盖层(18)的侧面；露出的下限制层(12)、下波导层(13)、有源层(14)、电子阻挡层(15)、上波导层(16)、上限制层(17)和覆盖层(18)形成左右对称的条形；n型欧姆电极(22)，该n型欧姆电极制作在经刻蚀后露出的欧姆接触层(11)的上表面且在条形的两侧均制作有n型欧姆电极；p型欧姆电极(23)，该p型欧姆电极制作在覆盖层(18)的上表面；其中的第二种GaN基半导体激光器自下向上依次包括：衬底(10)；欧姆接触层(11)；下限制层(12)，该下限制层(12)为多个周期的AlGaN/GaN超晶格，其总厚度为1.10微米；下波导层(13)；有源层(14)；电子阻挡层(15)；上波导层(16)；上限制层(17)，该上限制层为多个周期的AlGaN/GaN超晶格，其总厚度为0.70～0.80微米；覆盖层(18)；绝缘层(21)，该绝缘层(21)制作在刻蚀后露出的下限制层(12)、下波导层(13)、有源层(14)、电子阻挡层(15)、上波导层(16)、上限制层(17)和覆盖层(18)的侧面；露出的下限制层(12)、下波导层(13)、有源层(14)、电子阻挡层(15)、上波导层(16)、上限制层(17)和覆盖层(18)形成左右对称的条形；n型欧姆电极(22)，该n型欧姆电极制作在经刻蚀后露出的欧姆接触层(11)的上表面且在条形的两侧均制作有n型欧姆电极；p型欧姆电极(23)，该p型欧姆电极制作在覆盖层(18)的上表面；用于测定n型AlGaN/GaN超晶格电阻率的GaN基激光器为两种具有不同厚度的n型AlGaN/GaN超晶格光限制层的GaN基半导体激光器；其中的第三种GaN基半导体激光器自下向上依次包括：衬底(10)；欧姆接触层(11)；下限制层(12)，该下限制层(12)为多个周期的AlGaN/GaN超晶格，其总厚度为0.20～0.40微米；下波导层(13)；有源层(14)；电子阻挡层(15)；上波导层(16)；上限制层(17)，该上限制层为多个周期的AlGaN/GaN超晶格，其总厚度为0.80微米；覆盖层(18)；绝缘层(21)，该绝缘层(21)制作在刻蚀后露出的下限制层(12)、下波导层(13)、有源层(14)、电子阻挡层(15)、上波导层(16)、上限制层(17)和覆盖层(18)的侧面；露出的下限制层(12)、下波导层(13)、有源层(14)、电子阻挡层(15)、上波导层(16)、上限制层(17)和覆盖层(18)形成左右对称的条形；n型欧姆电极(22)，该n型欧姆电极制作在经刻蚀后露出的欧姆接触层(11)的上表面且在条形的两侧均制作有n型欧姆电极；p型欧姆电极(23)，该p型欧姆电极制作在覆盖层(18)的上表面；其中的第四种GaN基半导体激光器自下向上依次包括：衬底(10)；欧姆接触层(11)；下限制层(12)，该下限制层(12)为多个周期的AlGaN/GaN超晶格，其总厚度为0.90～1.10微米；下波导层(13)；有源层(14)；电子阻挡层(15)；上波导层(16)；上限制层(17)，该上限制层为多个周期的AlGaN/GaN超晶格，其总厚度为0.80微米；覆盖层(18)；绝缘层(21)，该绝缘层(21)制作在刻蚀后露出的下限制层(12)、下波导层(13)、有源层(14)、电子阻挡层(15)、上波导层(16)、上限制层(17)和覆盖层(18)的侧面；露出的下限制层(12)、下波导层(13)、有源层(14)、电子阻挡层(15)、上波导层(16)、上限制层(17)和覆盖层(18)形成左右对称的条形；n型欧姆电极(22)，该n型欧姆电极制作在经刻蚀后露出的欧姆接触层(11)的上表面且在条形的两侧均制作有n型欧姆电极；p型欧姆电极(23)，该p型欧姆电极制作在覆盖层(18)的上表面；