发明名称 垂直磁记录介质及其制造方法
摘要 本发明提供能稳定并高性能地制作用于低Ku层的软磁性体并能实现磁化的热稳定性、磁头写入的容易性和提高SNR的垂直磁记录介质及其制造方法。该垂直磁记录介质在非磁性基体上至少依次地形成有非磁性基底层、磁记录层和保护层,磁记录层包括垂直磁各向异性常数(Ku值)相对小的低Ku层和Ku值相对大的高Ku层,低Ku层是由在将Co、Ni、Fe中的任意一种金属或它们的合金作为主体的强磁性体中,添加了氮元素的铁族元素基微晶结构构成的软磁性薄膜,并且由具有面心立方晶格或六方密堆积的结晶结构的薄膜构成,令与该膜面平行的优先结晶取向面,在面心立方晶格结构的情况下为(111)面,在六方密堆积结构的情况下为(002)面。
申请公布号 CN101266802B 申请公布日期 2011.11.23
申请号 CN200710169925.9 申请日期 2007.11.08
申请人 富士电机电子技术株式会社 发明人 及川忠昭;上住洋之
分类号 G11B5/66(2006.01)I;G11B5/667(2006.01)I;G11B5/851(2006.01)I 主分类号 G11B5/66(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人 龙淳
主权项 一种垂直磁记录介质,其特征在于:该垂直磁记录介质在非磁性基体上,至少依次地形成有非磁性基底层、磁记录层和保护层,所述磁记录层包括垂直磁各向异性常数Ku值相对小的低Ku层和所述Ku值相对大的高Ku层,所述低Ku层是由铁族元素基微晶结构构成的软磁性薄膜,所述铁族元素基微晶结构是在将Co、Ni、Fe中的任意一种金属或它们的合金作为主体的强磁性体中添加了氮元素而形成,所述软磁性薄膜的结晶结构为面心立方晶格结构或六方密堆积结构,在所述软磁性薄膜的结晶结构为所述面心立方晶格结构的情况下,令与所述软磁性薄膜的膜面平行的优先结晶取向面为(111)面,在所述软磁性薄膜的结晶结构为所述六方密堆积结构的情况下,令与所述软磁性薄膜的膜面平行的优先结晶取向面为(002)面。
地址 日本东京都