| 发明名称 | 集成电路元件、其形成方法及封装组件 | ||
| 摘要 | 本发明提供用于铜柱凸块技术的L型侧壁保护工艺，L型侧壁保护结构由至少一非金属材料层形成，例如介电材料层、高分子材料层或前述的组合。本发明还提供一种集成电路元件、其形成方法及封装组件，该集成电路元件包括：一凸块结构，设置于一半导体基底上，其中该凸块结构包括一顶部表面及一侧壁表面，且该半导体基底包括一表面区邻接该凸块结构的该侧壁表面；以及一L型保护结构，覆盖该凸块结构的该侧壁表面，且延伸至该半导体基底的该表面区，其中该L型保护结构由一非金属材料层形成。本发明可以应用在微细间距的凸块架构。 | ||
| 申请公布号 | CN102254870A | 申请公布日期 | 2011.11.23 |
| 申请号 | CN201010529468.1 | 申请日期 | 2010.10.29 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 黄见翎;吴逸文;刘重希 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 姜燕;陈晨 |
| 主权项 | 一种集成电路元件，包括：一凸块结构，设置于一半导体基底上，其中该凸块结构包括一顶部表面及一侧壁表面，且该半导体基底包括一表面区邻接该凸块结构的该侧壁表面；以及一L型保护结构，覆盖该凸块结构的该侧壁表面，且延伸至该半导体基底的该表面区，其中该L型保护结构由一非金属材料层形成。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||