| 发明名称 | 半导体器件制备过程中光阻的去除方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件制备过程中光阻的去除方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底的表面形成栅介电层；在所述栅介电层的表面形成光阻图案；以所述光阻图案为掩膜向所述衬底内注入离子；采用稀释溶剂对所述光阻图案进行清洗；湿法剥离所述光阻图案。本发明的光阻的去除方法，能够避免光阻去除过程中对栅介电层造成的破坏，有利于提高半导体器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102254810A | 申请公布日期 | 2011.11.23 |
| 申请号 | CN201110187080.2 | 申请日期 | 2011.07.05 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 胡学清;倪红松;孙贤波 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种半导体器件制备过程中光阻的去除方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底的表面形成栅介电层；在所述栅介电层的表面形成光阻图案；以所述光阻图案为掩膜向所述衬底内注入离子；采用稀释溶剂对所述光阻图案进行清洗；湿法剥离所述光阻图案。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||