发明名称 |
集成电路元件的制造方法 |
摘要 |
一种IC元件及其制造方法,该IC元件与线圈一体形成,通信距离更大。IC元件中,形成使构成线圈(3)的导体具有金属溅射层或金属镀敷层(6)及金属电镀层(7)的多层构造。作为金属电镀层(7)的形成方法的IC元件的制造方法使用精密电铸法。信息载体具有将IC元件(1)配置在基体(21)的平面方向的中心部的结构。信息载体的制造方法包括在带状基材(41~45)的某一个上制作包括IC元件所需的搭载部件,接着从该带状基材中冲切形成所需的信息载体(20a~20h)。 |
申请公布号 |
CN102254865A |
申请公布日期 |
2011.11.23 |
申请号 |
CN201110205852.0 |
申请日期 |
2000.02.23 |
申请人 |
日立马库塞鲁株式会社 |
发明人 |
川村哲士;清水伸 |
分类号 |
H01L21/82(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;G06K19/077(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/82(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
张丽 |
主权项 |
一种IC元件的制造方法,其特征在于包括以下步骤:在经过规定的处理制作的完成晶片的表面保护膜上,均匀地形成金属溅射层或金属镀敷层;在该金属溅射层或金属镀敷层上均匀地形成光致抗蚀剂层;通过对所述光致抗蚀剂层进行包括用于非接触地进行与外部的数据通信的线圈的所需的图形的曝光、显像来以所述规定的图形露出所述金属溅射层或金属镀敷层;在所述金属溅射层或金属镀敷层的露出部分上用无电解电镀法或电镀法或精密电铸法来层积金属电镀层;除去在所述完成晶片上附着的光致抗蚀剂层;有选择地腐蚀从所述金属电镀层露出的所述金属溅射层或金属镀敷层,形成与所述规定的图形相当的规定导电图形;以及对所述完成晶片进行划线来获得与线圈一体形成的所需IC元件。 |
地址 |
日本大阪府 |