发明名称 |
针对可调整的间隙等离子体室中的双重限制和超高压的方法和设备 |
摘要 |
本发明提供的是一种具有用于加工衬底的等离子体处理室的等离子体处理系统。所述等离子体处理系统包括用于加工所述衬底的至少上电极和下电极。在等离子体处理过程中,所述衬底被置于所述下电极上,其中,所述上电极和所述衬底形成第一间隙。所述等离子体处理系统还包括上电极外围扩展部(UE-PE)。所述UE-PE机械地联接至所述上电极的外围,其中,所述UE-PE被配置成与所述上电极不共面。所述等离子体处理系统还包括盖环。所述盖环被配置成同中心地环绕所述下电极,其中,所述UE-PE和所述盖环形成第二间隙。 |
申请公布号 |
CN102257885A |
申请公布日期 |
2011.11.23 |
申请号 |
CN200980150990.4 |
申请日期 |
2009.12.16 |
申请人 |
朗姆研究公司 |
发明人 |
安德里亚斯·费舍尔;艾利克·哈德森 |
分类号 |
H05H1/34(2006.01)I |
主分类号 |
H05H1/34(2006.01)I |
代理机构 |
上海胜康律师事务所 31263 |
代理人 |
周文强;李献忠 |
主权项 |
具有用于加工衬底的等离子体处理室的等离子体处理系统,其包括:用于加工所述衬底的至少上电极和下电极,在等离子体处理过程中,所述衬底被置于所述下电极上,其中,所述上电极和所述衬底形成第一间隙;上电极外围扩展部(UE‑PE),所述UE‑PE机械地联接至所述上电极的外围,其中,所述UE‑PE被配置成与所述上电极不共面;以及盖环,其被配置成同中心地环绕所述下电极,其中,所述UE‑PE和所述盖环形成第二间隙。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |