首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 Method of manufacture of an heterostructure channel insulated gate field effect transistor
摘要
申请公布号 EP1638149(B1) 申请公布日期 2011.11.23
申请号 EP20050291905 申请日期 2005.09.14
申请人 STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS;COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIESALTERNATIVES 发明人 MONFRAY, STEPHANE;BOREL, STEPHAN;SKOTNICKI, THOMAS
分类号 H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/786 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com