| 发明名称 | 具有中继板的半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有中继板的半导体器件的制造方法，该制造方法包括如下步骤：a)将膜状粘附剂粘附到该中继板上；b)在第一部分处仅切割该中继板，而在第二部分处切割该中继板和粘附到该中继板上的粘附剂，从而形成多个分割的粘附在共用的单一膜状粘附剂上的中继板；以及c)将分割的中继板同时设置在半导体元件上。本发明的实施例能够以低成本制造半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN101373719B | 申请公布日期 | 2011.11.23 |
| 申请号 | CN200810169908.X | 申请日期 | 2006.04.06 |
| 申请人 | 富士通半导体股份有限公司 | 发明人 | 西村隆雄;成泽良明;熊谷欣一 |
| 分类号 | H01L21/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张龙哺;冯志云 |
| 主权项 | 一种具有中继板的半导体器件的制造方法，该制造方法包括如下步骤：a)将膜状粘附剂粘附到中继板上；b)在第一部分处仅切割该中继板，而在第二部分处切割该中继板和粘附到该中继板上的粘附剂，从而形成多个分割的粘附在共用的单一膜状粘附剂上的中继板；以及c)将多个分割的、粘附在共用的单一膜状粘附剂上的中继板同时设置在单一半导体元件上。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县横浜市 | ||