| 发明名称 | 磁阻元件和磁存储器 | ||
| 摘要 | 一种磁阻元件(10)包括：底层(12)，具有取向在(001)面的立方或四方晶体结构；第一磁性层(13)，设于底层(12)上，具有垂直的磁各向异性，并且具有取向在(001)面的fct结构；非磁性层(14)，设于第一磁性层(13)上；以及第二磁性层(15)，设于该非磁性层(14)上，并且具有垂直的磁各向异性。底层(12)的面内晶格常数a1和第一磁性层(13)的面内晶格常数a2满足下式，其中b是第一磁性层(13)的Burgers矢量的幅度，ν是第一磁性层(13)的弹性模量，hc是第一磁性层(13)的厚度：<img file="d2009101276732a00011.GIF" wi="1184" he="86" /> | ||
| 申请公布号 | CN101546807B | 申请公布日期 | 2011.11.23 |
| 申请号 | CN200910127673.2 | 申请日期 | 2009.03.23 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 北川英二;吉川将寿;永瀬俊彦;大坊忠臣;长岭真;西山胜哉;岸达也;与田博明 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L43/10(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 屠长存 |
| 主权项 | 一种磁阻元件，其特征在于，包括：第一底层，具有取向在(001)面的立方或四方晶体结构；第一磁性层，设于所述第一底层上，具有垂直于膜表面的磁各向异性，并且具有取向在(001)面的面心四方(fct)结构；第一非磁性层，设于所述第一磁性层上；以及第二磁性层，设于所述第一非磁性层上，并且具有垂直于膜表面的磁各向异性，所述第一底层的面内晶格常数a1和所述第一磁性层的面内晶格常数a2满足下式，其中b是所述第一磁性层的Burgers矢量的幅度，v是所述第一磁性层的弹性模量，hc是所述第一磁性层的厚度， <mrow> <mo>|</mo> <msqrt> <mn>2</mn> </msqrt> <mo>×</mo> <mi>a</mi> <mn>1</mn> <mo>/</mo> <mn>2</mn> <mo>-</mo> <mi>a</mi> <mn>2</mn> <mo>|</mo> <mo>/</mo> <mi>a</mi> <mn>2</mn> <mo><</mo> <mi>b</mi> <mo>×</mo> <mo>{</mo> <mi>ln</mi> <mrow> <mo>(</mo> <mi>hc</mi> <mo>/</mo> <mi>b</mi> <mo>)</mo> </mrow> <mo>+</mo> <mn>1</mn> <mo>}</mo> <mo>/</mo> <mo>{</mo> <mn>2</mn> <mi>π</mi> <mo>×</mo> <mi>hc</mi> <mo>×</mo> <mrow> <mo>(</mo> <mn>1</mn> <mo>+</mo> <mi>v</mi> <mo>)</mo> </mrow> <mo>}</mo> <mo>.</mo> </mrow> | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||