用振动加速沉降技术制备SiC_p/A1电子封装零件的方法

摘要

本发明涉及用振动加速沉降技术制备SiCp/Al电子封装零件的方法，属于电子封装零件制备技术领域。以SiCp/Al复合材料为原料，将熔融SiCp/Al复合材料浇注入成型模具中并保温，采用振动激励加速沉降高温SiCp/Al复合材料熔体中的SiC颗粒到熔体下部，冷却凝固后切割掉位于铸件上部的完全由Al-Si合金构成的部分，制备出体积分数为45～70％的SiCp/Al电子封装零件，所述零件的材料具有高热导率、低热膨胀系数、SiC颗粒分布均匀和高致密度的特点，并且制备过程中工艺和设备简单、制备周期短、能净终成形，有成本低、孔隙率低和材料性能好的优点。

主权项

用振动加速沉降技术制备SiCp/Al电子封装零件的方法，其特征在于，有以下步骤：①将SiC颗粒与Al‑Si合金按(15～35)∶(65～85)的体积比配比；②运用搅拌铸造法制备出SiCp/Al复合材料，将SiCp/Al复合材料加热到650～750℃，获得SiCp/Al复合材料浆料；③将模具加热到620～720℃，获得预热模具；④将SiCp/Al复合材料浆料浇注到预热模具型腔内，并保持预热模具温度，沿重力方向外加一振动力场，在振动力场作用下SiCp/Al复合材料中的SiC颗粒快速沉积到模具底部，经冷却、凝固后得到由SiCp/Al复合材料部分和Al‑Si合金部分构成的铸件，所述铸件中SiCp/Al复合材料部分的体积百分数为45～70％；⑤铸件降至室温后去除铸件上的完全由Al‑Si合金构成的部分后获得SiCp/Al复合材料坯料；⑥机械精加工SiCp/Al复合材料坯料，即得SiCp/Al电子封装零件。