发明名称 利用硅藻土制备高纯单质硅的制备方法
摘要 本发明公开了一种利用硅藻土制备高纯单质硅的制备方法。通过简单的两个步骤:首先通过酸处理去除硅藻土中的杂质,随后通过金属热反应将其中的SiO2还原成为单质硅。由于硅藻土呈多孔状,结构松散,其中的杂质易于去除,因此所得单质硅的纯度在99%以上,有利于直接应用或进行进一步加工处理。本发明提出的利用硅藻土制备高纯单质硅的方法,原材料来源广泛,工艺流程简单,具有极强的经济价值和应用前景。
申请公布号 CN102249240A 申请公布日期 2011.11.23
申请号 CN201110152194.3 申请日期 2011.06.08
申请人 浙江大学 发明人 陈雪刚;叶瑛;朱旭恒;刘舒婷;张奥博;李海晏;潘丽;邵苏东
分类号 C01B33/023(2006.01)I 主分类号 C01B33/023(2006.01)I
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人 张法高
主权项 一种利用硅藻土制备高纯单质硅的制备方法,其特征在于它的步骤如下:1)将硅藻土充分粉碎至100~10000目,在0.1~1.0 mol/L的稀盐酸溶液中浸泡1~24 h;2)将步骤1)的产物60~150 oC烘干后与产物质量50%~100%的金属还原剂粉末充分混合,放入炉中,隔绝空气或在惰性气体的保护下500~800 oC煅烧0.5~12 h;冷却后取出,产物在0.1~1.0 mol/L的稀盐酸溶液中浸泡1~24 h,烘干后即得纯度超过99%的单质硅。
地址 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号