发明名称 |
利用硅藻土制备高纯单质硅的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种利用硅藻土制备高纯单质硅的制备方法。通过简单的两个步骤:首先通过酸处理去除硅藻土中的杂质,随后通过金属热反应将其中的SiO2还原成为单质硅。由于硅藻土呈多孔状,结构松散,其中的杂质易于去除,因此所得单质硅的纯度在99%以上,有利于直接应用或进行进一步加工处理。本发明提出的利用硅藻土制备高纯单质硅的方法,原材料来源广泛,工艺流程简单,具有极强的经济价值和应用前景。 |
申请公布号 |
CN102249240A |
申请公布日期 |
2011.11.23 |
申请号 |
CN201110152194.3 |
申请日期 |
2011.06.08 |
申请人 |
浙江大学 |
发明人 |
陈雪刚;叶瑛;朱旭恒;刘舒婷;张奥博;李海晏;潘丽;邵苏东 |
分类号 |
C01B33/023(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/023(2006.01)I |
代理机构 |
杭州求是专利事务所有限公司 33200 |
代理人 |
张法高 |
主权项 |
一种利用硅藻土制备高纯单质硅的制备方法,其特征在于它的步骤如下:1)将硅藻土充分粉碎至100~10000目,在0.1~1.0 mol/L的稀盐酸溶液中浸泡1~24 h;2)将步骤1)的产物60~150 oC烘干后与产物质量50%~100%的金属还原剂粉末充分混合,放入炉中,隔绝空气或在惰性气体的保护下500~800 oC煅烧0.5~12 h;冷却后取出,产物在0.1~1.0 mol/L的稀盐酸溶液中浸泡1~24 h,烘干后即得纯度超过99%的单质硅。 |
地址 |
310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |