| 发明名称 | 垂直双扩散MOS晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种垂直双扩散MOS晶体管及其制备方法，所述垂直双扩散MOS晶体管包括衬底以及形成于所述衬底一侧的外延层，所述衬底的另一侧包括多个“V”形凹槽，所述衬底的表面覆盖漏极，所述漏极随所述衬底的形状也形成“V”形凹槽。本发明的垂直双扩散MOS晶体管缩短了源区和漏极之间的距离，从而降低了导通电阻和导通压降、提高漏极电流。 | ||
| 申请公布号 | CN102254939A | 申请公布日期 | 2011.11.23 |
| 申请号 | CN201110225184.8 | 申请日期 | 2011.08.08 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 王颢;克里丝 |
| 分类号 | H01L29/417(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/417(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种垂直双扩散MOS晶体管，包括衬底以及形成于所述衬底一侧的外延层，其特征在于：所述衬底的另一侧包括多个“V”形凹槽，所述衬底的表面覆盖漏极，所述漏极随所述衬底的形状也形成“V”形凹槽。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||