双沟槽隔离结构的形成方法

摘要

一种双沟槽隔离结构的形成方法包括：提供包括衬底硅，掩埋绝缘层和顶层硅的SOI，在顶层硅上形成衬垫层，硬掩膜层和第一掩膜层；以图案化第一掩膜层为掩膜，刻蚀硬掩膜层，衬垫层和部分顶层硅至设定深度，形成第一开口；去除第一掩膜层，在所述硬掩膜层上以及第一开口内形成牺牲层；去除部分牺牲层至暴露出硬掩膜层；在所述硬掩膜层以及牺牲层上形成图案化的第二掩膜层，以图案化的第二掩膜层为掩膜，刻蚀硬掩膜层至暴露出衬垫层，形成第二开口，第二开口区域与第一开口区域部分重叠；去除所述第二掩膜层以及牺牲层；以硬掩膜层为掩膜，同时刻蚀第一开口和第二开口，形成设定深度的第一沟槽和第二沟槽，其中，第一沟槽暴露出掩埋绝缘层，第二沟槽暴露出顶层硅。所述方法避免了第一沟槽和第二沟槽重叠区域的掩埋绝缘层被刻穿的缺陷。

主权项

一种双沟槽隔离结构的形成方法，包括如下步骤：提供包括衬底硅，掩埋绝缘层和顶层硅的绝缘体上硅，在所述的顶层硅上依次形成衬垫层，硬掩膜层和第一掩膜层；以图案化第一掩膜层为掩膜，刻蚀硬掩膜层，衬垫层和部分顶层硅至设定深度，形成第一开口；去除第一掩膜层，在所述硬掩膜层上以及第一开口内形成牺牲层；去除部分牺牲层至暴露出硬掩膜层；在所述硬掩膜层以及牺牲层上形成图案化的第二掩膜层，以图案化的第二掩膜层为掩膜，刻蚀硬掩膜层至暴露出衬垫层，形成第二开口，第二开口区域与第一开口区域部分重叠；去除所述第二掩膜层以及牺牲层；以硬掩膜层为掩膜，同时刻蚀第一开口和第二开口，形成设定深度的第一沟槽和第二沟槽，其中，第一沟槽暴露出掩埋绝缘层，第二沟槽暴露出顶层硅。